Energie- und Elektrotechnik

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  • Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Oberflächenanalyse von Silicium-Halbleiterscheiben (Wafer) durch Multielementbestimmung in wässrigen Analysenlösungen mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)

    Norm [AKTUELL] 2013-10

    DIN 51456:2013-10

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Oberflächenanalyse von Silicium-Halbleiterscheiben (Wafer) durch Multielementbestimmung in wässrigen Analysenlösungen mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)

    Dieses Dokument legt ein Verfahren zur Bestimmung der Massenanteile der Elemente Al (Aluminium), As (Arsen), Ba (Barium), Be (Beryllium), Ca (Calcium), Cd (Cadmium), Co (Kobalt), Cr (Chrom), Cu ...

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  • Halbleiterbauelemente - Teil 16-3: Integrierte Schaltungen zur Frequenzumsetzung von Mikrowellen (IEC 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017); Deutsche Fassung EN 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017

    Norm [AKTUELL] 2018-04

    DIN EN 60747-16-3:2018-04

    Halbleiterbauelemente - Teil 16-3: Integrierte Schaltungen zur Frequenzumsetzung von Mikrowellen (IEC 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017); Deutsche Fassung EN 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017

    Dieser Teil von IEC 60747 liefert sowohl neue Messverfahren, die Terminologie und Buchstabensymbole als auch wesentliche Bemessungswerte und Eigenschaften für integrierte Schaltungen zur ...

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  • Halbleiterbauelemente - Teil 16-10: Prüfplan für die Technikanerkennung (Technology Approval Schedule - TAS) für monolithische integrierte Mikrowellenschaltkreise (IEC 60747-16-10:2004); Deutsche Fassung EN 60747-16-10:2004

    Norm [AKTUELL] 2005-03

    DIN EN 60747-16-10:2005-03

    Halbleiterbauelemente - Teil 16-10: Prüfplan für die Technikanerkennung (Technology Approval Schedule - TAS) für monolithische integrierte Mikrowellenschaltkreise (IEC 60747-16-10:2004); Deutsche Fassung EN 60747-16-10:2004

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  • IEC-821-VMEbus - Mikroprozessor-Systembus für 1 Byte bis 4 Byte Daten (IEC 60821:1991, modifiziert); Deutsche Fassung EN 60821:1994

    Norm [AKTUELL] 1994-09

    DIN EN 60821:1994-09

    IEC-821-VMEbus - Mikroprozessor-Systembus für 1 Byte bis 4 Byte Daten (IEC 60821:1991, modifiziert); Deutsche Fassung EN 60821:1994

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  • Berechnung von Verzögerung und Leistungsaufnahme beim Entwurf von Chips - Teil 1: System zur Berechnung von Verzögerung und Leistungsaufnahme integrierter Schaltkreise (IC) (IEC 61523-1:2001); Deutsche Fassung EN 61523-1:2002, Text in Englisch

    Norm [AKTUELL] 2002-10

    DIN EN 61523-1:2002-10

    Berechnung von Verzögerung und Leistungsaufnahme beim Entwurf von Chips - Teil 1: System zur Berechnung von Verzögerung und Leistungsaufnahme integrierter Schaltkreise (IC) (IEC 61523-1:2001); Deutsche Fassung EN 61523-1:2002, Text in Englisch

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  • Berechnung von Verzögerung und Leistungsaufnahme beim Entwurf von Chips - Teil 2: Vorgezogene Berechnung der Verzögerung für CMOS-ASIC-Bibliotheken (IEC 61523-2:2002); Deutsche Fassung EN 61523-2:2002, Text in Englisch

    Norm [AKTUELL] 2003-06

    DIN EN 61523-2:2003-06

    Berechnung von Verzögerung und Leistungsaufnahme beim Entwurf von Chips - Teil 2: Vorgezogene Berechnung der Verzögerung für CMOS-ASIC-Bibliotheken (IEC 61523-2:2002); Deutsche Fassung EN 61523-2:2002, Text in Englisch

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  • Integrierte Schaltkreise - Anwendungsleitfaden für die Anerkennung von Fertigungslinien (IEC 61943:1999); Deutsche Fassung EN 61943:1999

    Norm [AKTUELL] 2001-10

    DIN EN 61943:2001-10

    Integrierte Schaltkreise - Anwendungsleitfaden für die Anerkennung von Fertigungslinien (IEC 61943:1999); Deutsche Fassung EN 61943:1999

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  • Integrierte Schaltungen - Kontaktanordnungen für Speicherbauelemente (IEC 61964:1999); Deutsche Fassung EN 61964:1999

    Norm [AKTUELL] 2000-01

    DIN EN 61964:2000-01

    Integrierte Schaltungen - Kontaktanordnungen für Speicherbauelemente (IEC 61964:1999); Deutsche Fassung EN 61964:1999

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  • Integrierte Schaltungen - Messung von elektromagnetischen Aussendungen - Teil 1: Allgemeine Bedingungen und Definitionen (IEC 61967-1:2018); Deutsche Fassung EN IEC 61967-1:2019

    Norm [AKTUELL] 2019-09

    DIN EN IEC 61967-1:2019-09; VDE 0847-21-1:2019-09

    Integrierte Schaltungen - Messung von elektromagnetischen Aussendungen - Teil 1: Allgemeine Bedingungen und Definitionen (IEC 61967-1:2018); Deutsche Fassung EN IEC 61967-1:2019

    Hochfrequente Aussendungen integrierter Schaltungen können zur Beeinflussung der immer empfindlicher werdenden elektronischen Bauteile und Systeme, zu Fehlfunktionen oder deren Ausfällen führen.

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  • Integrierte Schaltungen - Messung von elektromagnetischen Aussendungen im Frequenzbereich von 150 kHz bis 1 GHz - Teil 2: Messung der abgestrahlten Aussendungen - TEM-Zellen- und Breitband-TEM-Zellenverfahren (IEC 61967-2:2005); Deutsche Fassung EN 61967-2:2005

    Norm [AKTUELL] 2006-03

    DIN EN 61967-2:2006-03

    Integrierte Schaltungen - Messung von elektromagnetischen Aussendungen im Frequenzbereich von 150 kHz bis 1 GHz - Teil 2: Messung der abgestrahlten Aussendungen - TEM-Zellen- und Breitband-TEM-Zellenverfahren (IEC 61967-2:2005); Deutsche Fassung EN 61967-2:2005

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