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Norm [AKTUELL] 1988-12
Sachmerkmal-Leisten für Transistoren und Thyristoren
ab 36,70 EUR inkl. MwSt.
ab 34,30 EUR exkl. MwSt.
Norm [AKTUELL] 2007-01
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006
ab 74,80 EUR inkl. MwSt.
ab 69,91 EUR exkl. MwSt.
Norm [AKTUELL] 2010-12
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010
In diesem Dokument ist ein Prüfverfahren auf "heiße" Ladungsträger (Hot-Carrier) auf Waferniveau für NMOS- und PMOS-Transistoren festgelegt. Das Prüfverfahren wurde erarbeitet, um zu ermitteln ...
ab 82,60 EUR inkl. MwSt.
ab 77,20 EUR exkl. MwSt.
Norm [AKTUELL] 2023-08
Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern (IEC 63373:2022); Deutsche Fassung EN IEC 63373:2022
Im Allgemeinen ist die Prüfung des dynamischen Durchlasswiderstands ein Maß für Ladungseinschlussphänomene in GaN-Leistungstransistoren. Diese Veröffentlichung enthält Richtlinien für die Prüfung ...
ab 97,40 EUR inkl. MwSt.
ab 91,03 EUR exkl. MwSt.
Norm [AKTUELL] 1996-11
Vordruck für Bauartspezifikation - Phototransistoren, Photo-Darlington-Transistoren, Phototransistorzeilen; Deutsche Fassung EN 120003:1992
ab 60,10 EUR inkl. MwSt.
ab 56,17 EUR exkl. MwSt.
Norm [AKTUELL] 2007-03-01
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006)
ab 108,47 EUR inkl. MwSt.
ab 101,37 EUR exkl. MwSt.
Norm [AKTUELL] 2011-01-01
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010) (deutsche Fassung)
Norm [AKTUELL] 2022-03
Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern
31,10 EUR inkl. MwSt.
29,07 EUR exkl. MwSt.
Norm [AKTUELL] 2006-08
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)
ab 23,30 EUR inkl. MwSt.
ab 21,78 EUR exkl. MwSt.
Norm [AKTUELL] 2010-06
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren
ab 28,00 EUR inkl. MwSt.
ab 26,17 EUR exkl. MwSt.
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