Energie- und Elektrotechnik

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  • Sachmerkmal-Leisten für Transistoren und Thyristoren

    Norm [AKTUELL] 1988-12

    DIN 4000-19:1988-12

    Sachmerkmal-Leisten für Transistoren und Thyristoren

    ab 35,60 EUR inkl. MwSt.

    ab 33,27 EUR exkl. MwSt.

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  • Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006

    Norm [AKTUELL] 2007-01

    DIN EN 62373:2007-01

    Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006

    ab 72,60 EUR inkl. MwSt.

    ab 67,85 EUR exkl. MwSt.

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  • Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010

    Norm [AKTUELL] 2010-12

    DIN EN 62416:2010-12

    Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010

    In diesem Dokument ist ein Prüfverfahren auf "heiße" Ladungsträger (Hot-Carrier) auf Waferniveau für NMOS- und PMOS-Transistoren festgelegt. Das Prüfverfahren wurde erarbeitet, um zu ermitteln ...

    ab 80,20 EUR inkl. MwSt.

    ab 74,95 EUR exkl. MwSt.

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  • Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern (IEC 63373:2022); Deutsche Fassung EN IEC 63373:2022

    Norm [AKTUELL] 2023-08

    DIN EN IEC 63373:2023-08

    Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern (IEC 63373:2022); Deutsche Fassung EN IEC 63373:2022

    Im Allgemeinen ist die Prüfung des dynamischen Durchlasswiderstands ein Maß für Ladungseinschlussphänomene in GaN-Leistungstransistoren. Diese Veröffentlichung enthält Richtlinien für die Prüfung ...

    ab 94,60 EUR inkl. MwSt.

    ab 88,41 EUR exkl. MwSt.

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  • Vordruck für Bauartspezifikation - Phototransistoren, Photo-Darlington-Transistoren, Phototransistorzeilen; Deutsche Fassung EN 120003:1992

    Norm [AKTUELL] 1996-11

    DIN EN 120003:1996-11

    Vordruck für Bauartspezifikation - Phototransistoren, Photo-Darlington-Transistoren, Phototransistorzeilen; Deutsche Fassung EN 120003:1992

    ab 58,30 EUR inkl. MwSt.

    ab 54,49 EUR exkl. MwSt.

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  • Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006)

    Norm [AKTUELL] 2007-03-01

    OEVE/OENORM EN 62373:2007-03-01

    Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006)

    ab 104,29 EUR inkl. MwSt.

    ab 97,47 EUR exkl. MwSt.

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  • Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010) (deutsche Fassung)

    Norm [AKTUELL] 2011-01-01

    OEVE/OENORM EN 62416:2011-01-01

    Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010) (deutsche Fassung)

    ab 104,29 EUR inkl. MwSt.

    ab 97,47 EUR exkl. MwSt.

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  • Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern

    Norm [AKTUELL] 2022-03

    SN EN IEC 63373:2022-03

    Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern

    29,00 EUR inkl. MwSt.

    27,10 EUR exkl. MwSt.

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  • Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)

    Norm [AKTUELL] 2006-08

    SN EN 62373:2006-08

    Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)

    ab 21,40 EUR inkl. MwSt.

    ab 20,00 EUR exkl. MwSt.

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  • Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren

    Norm [AKTUELL] 2010-06

    SN EN 62416:2010-06

    Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren

    ab 26,10 EUR inkl. MwSt.

    ab 24,39 EUR exkl. MwSt.

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  • Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren

    Norm [AKTUELL] 2010-11-01

    NF C80-202:2010-11-01; NF EN 62416:2010-11-01

    Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren

    ab 92,80 EUR inkl. MwSt.

    ab 86,73 EUR exkl. MwSt.

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  • w_8101_covf.[SIZE].gif

    Norm [AKTUELL] 1978-04-21

    UTE C86-614/A1U:1978-04-21; UTE C86-614/A1:1978-04-21

    ELECTRONIC COMPONENTS. BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. COLLECTION OF DETAIL SPECIFICATION WITHIN THE SCOPE OF THE FRENCH STANDARDS NF C 86-010 AND NF C 86-614

    ab 75,60 EUR inkl. MwSt.

    ab 70,65 EUR exkl. MwSt.

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    Norm [AKTUELL] 1978-11-06

    UTE C86-614/A2U:1978-11-06; UTE C86-614/A2:1978-11-06

    ELECTRONIC COMPONENTS. BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. COLLECTION OF DETAIL SPECIFICATION WITHIN THE SCOPE OF THE FRENCH STANDARDS NF C 86-010 AND NF C 86-614

    ab 122,30 EUR inkl. MwSt.

    ab 114,30 EUR exkl. MwSt.

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    Norm [AKTUELL] 1979-08-27

    UTE C86-614/A5U:1979-08-27; UTE C86-614/A5:1979-08-27

    ab 92,80 EUR inkl. MwSt.

    ab 86,73 EUR exkl. MwSt.

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    Norm [AKTUELL] 1980-01-01

    UTE C86-614/A6U:1980-01-01; UTE C86-614/A6:1980-01-01

    ab 92,80 EUR inkl. MwSt.

    ab 86,73 EUR exkl. MwSt.

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    Norm [AKTUELL] 1981-01-01

    UTE C86-614/A7U:1981-01-01; UTE C86-614/A7:1981-01-01

    ab 33,00 EUR inkl. MwSt.

    ab 30,84 EUR exkl. MwSt.

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    Norm [AKTUELL] 1981-05-01

    UTE C86-614/A8U:1981-05-01; UTE C86-614/A8:1981-05-01

    ELECTRONIC COMPONENTS. BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. COLLECTION OF DETAILS SPECIFICATIONS WITHIN THE SCOPE OF THE FRENCH STANDARDS NF C 86-010 AND NF C 86-614 (CECC 50 000 AND CECC 50 004)

    ab 134,00 EUR inkl. MwSt.

    ab 125,23 EUR exkl. MwSt.

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    Norm [AKTUELL] 1986-03-01

    UTE C86-614/A9U:1986-03-01; UTE C86-614/A9:1986-03-01

    ab 134,00 EUR inkl. MwSt.

    ab 125,23 EUR exkl. MwSt.

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    Norm [AKTUELL] 1987-04-01

    UTE C86-614/A10U:1987-04-01; UTE C86-614/A10:1987-04-01

    ab 75,60 EUR inkl. MwSt.

    ab 70,65 EUR exkl. MwSt.

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  • ELEKTRONISCHE BAUTEILE. BIPOLARE SCHALTTRANSISTOREN. ZUSAMMENFASSUNG DER BESONDEREN SPEZIFIKATIONEN IM RAHMEN DER NORM NF C 86-010 UND NF C 86-614 (CECC 50 000 UND CECC 50 004)

    Norm [AKTUELL] 1977-02-22

    UTE C86-614U:1977-02-22; UTE C86-614:1977-02-22

    ELEKTRONISCHE BAUTEILE. BIPOLARE SCHALTTRANSISTOREN. ZUSAMMENFASSUNG DER BESONDEREN SPEZIFIKATIONEN IM RAHMEN DER NORM NF C 86-010 UND NF C 86-614 (CECC 50 000 UND CECC 50 004)

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    ab 92,80 EUR inkl. MwSt.

    ab 86,73 EUR exkl. MwSt.

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  • HALBLEITERBAUELEMENTE EINZELBAUELEMENTE UND INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. DISKRETE BAUELEMENTE. SIEBENER TEIL : BIPOLARERTRANSISTOREN

    Norm [AKTUELL] 1989-06-01

    NF C96-007:1989-06-01

    HALBLEITERBAUELEMENTE EINZELBAUELEMENTE UND INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. DISKRETE BAUELEMENTE. SIEBENER TEIL : BIPOLARERTRANSISTOREN

    ab 230,30 EUR inkl. MwSt.

    ab 215,23 EUR exkl. MwSt.

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  • Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)

    Norm [AKTUELL] 2006-10-01

    NF C96-051:2006-10-01; NF EN 62373:2006-10-01

    Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)

    ab 92,80 EUR inkl. MwSt.

    ab 86,73 EUR exkl. MwSt.

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  • Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN HEMT-Leistungswandlern

    Norm [AKTUELL] 2022-03-25

    NF C96-373:2022-03-25; NF EN IEC 63373:2022-03-25

    Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN HEMT-Leistungswandlern

    ab 92,80 EUR inkl. MwSt.

    ab 86,73 EUR exkl. MwSt.

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  • Halbleiterbauelemente - Zuverlässigkeits-Prüfverfahren durch induktives Lastschalten für Galliumnitrid-Transistoren

    Norm-Entwurf

    PR NF C96-284; PR NF EN IEC 63284 - Entwurf

    Halbleiterbauelemente - Zuverlässigkeits-Prüfverfahren durch induktives Lastschalten für Galliumnitrid-Transistoren

    84,30 EUR inkl. MwSt.

    78,79 EUR exkl. MwSt.

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  • w_7817_covf.[SIZE].gif

    Norm-Entwurf 2017-11-30

    17/30366375 DC:2017-11-30 - Entwurf

    BS IEC 62373-1. Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFET). Part 1. Fast BTI Test method

    ab 30,90 EUR inkl. MwSt.

    ab 28,88 EUR exkl. MwSt.

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  • w_7817_covf.[SIZE].gif

    Norm-Entwurf 2018-08-03

    18/30381548 DC:2018-08-03 - Entwurf

    BS EN 62373-1. Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFET). Part 1. Fast BTI Test method

    34,30 EUR inkl. MwSt.

    32,06 EUR exkl. MwSt.

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  • Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Mikrowellendioden und-transistoren

    Norm [AKTUELL] 2008-02-29

    BS IEC 60747-4+A1:2008-02-29

    Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Mikrowellendioden und-transistoren

    ab 424,00 EUR inkl. MwSt.

    ab 396,26 EUR exkl. MwSt.

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  • w_7817_covf.[SIZE].gif

    Norm [AKTUELL] 2011-02-28

    BS IEC 60747-7+A1:2011-02-28

    Semiconductor devices. Discrete devices. Bipolar transistors

    ab 424,00 EUR inkl. MwSt.

    ab 396,26 EUR exkl. MwSt.

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  • Halbleiterbauelemente. Einzel-Halbleiterbauelemente. Feldeffekttransistoren

    Norm [AKTUELL] 2011-06-30

    BS IEC 60747-8+A1:2011-06-30

    Halbleiterbauelemente. Einzel-Halbleiterbauelemente. Feldeffekttransistoren

    ab 424,00 EUR inkl. MwSt.

    ab 396,26 EUR exkl. MwSt.

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    Norm [AKTUELL] 2004-11-09

    BS IEC 60747-8-4:2004-11-09

    Discrete semiconductor devices - Metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications

    ab 393,20 EUR inkl. MwSt.

    ab 367,48 EUR exkl. MwSt.

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